三星加速引进EUV设备 拼2017年量产7纳米

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 三星电子(Samsung Electronics)决定引进极紫外光微影制程(EUV)设备，加速发展晶圆代工事业，意图加速超越台积电等竞争者。不仅如此，近三星电子还开放为韩系中小型IC设计业者代工200mm(8吋)晶圆，积极扩展晶圆代工客户。

　　据韩媒ET News报导，三星集团(Samsung Group)从2016年初对三星电子系统LSI事业部进行经营诊断，原本计划3月底结束诊断作业，因故延长至4月，终评估后决定引进EUV设备，目标2017年量产7纳米制程。

　　经营诊断过程中有部分意见认为，在考量客户资讯保密与营运效率下，应将晶圆代工事业独立分割，但后依旧决定在维持现行体系下，以先进技术超越同业竞争者，并积极争取更多元的客户群。

　　据了解，三星电子将在近期内向荷兰微影设备大厂ASML购买新款EUV扫描机NXE:3400，交期定在2017年2~3季，待机台装设完成后将用于2017年底的7纳米制程量产。

　　传ASML总裁Peter Wennink将在本周访韩，与三星电子讨论EUV设备采购案;这将是三星电子首次在生产线上使用EUV设备。

　　日前三星电子系统LSI事业部在美矽谷举行一场非公开的三星晶圆代工论坛，对客户与合作厂商发表引入EUV设备的计划。

　　与会业者表示，三星电子决定采用EUV设备，意味着将推出有别于台积电的“完美的7纳米”，同时象征三星电子认为，光靠浸润式微影(Immersion Lithography)设备恐难完成7纳米制程。

　　EUV设备多用于新一代系统半导体、晶圆代工制程。三星电子希望借由在7纳米系统半导体制程中导入EUV，为客户生产完美的7纳米产品。台积电目前仍无导入EUV设备量产的计划。

　　曝光显影过程是一连串半导体复杂的制程中关键的部分，目前主流是采193纳米波长的氟化氩(ArF)准分子雷射光与浸润式技术的微影设备。由于技术上只能转印38纳米的电路图，半导体业者有小于30纳米的曝光显影需求时，通常需分2~3次进行，因此也使成本提高。

　　极紫外光(EUV)是介于紫外线(UV)与X光(X-line)之间的电磁波，波长为13.5纳米，可刻画小于10纳米的电路图案，至今尚未用于量产乃因EUV的晶圆处理速度较浸润式设备来得慢。

　　半导体制程专家表示，三星电子将会把EUV设备用于处理闸极(Gate)等重要电路图案显影，其余制程则采用浸润式设备与多重曝光(Patterning)技术。

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